| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IKP10N60T |
TO-220-3 | Infineon Technologies | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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IKP10N60T参数 产品类别：分离式半导体产品-IGBT - 单路 说明：IGBT 600V 20A 110W TO220-3 包装数量：500 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档IGBT 类型：NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.05V @ 15V，10A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：20A 功率 - 最大：110W 输入类型：标准 安装类型：通孔 |
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热门型号： 圆形KPSE06E14-12SXDN 数据采集 - 数模AD5384BBC-5REEL7 FET - 单APT30M40LVRG 存储器BQ4013MA-120 圆形 - 外壳ACT90ME35AN TVS - 其它复SP721ABG 双电层，超级电容器PAS2126FR2R5504 逻辑 - 栅极和逆SN74HC10PWR DC DC ConV110B8M150B2 铝电容器UWZ1H4R7MCL1GB |
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